[半導體照明聯盟]第十四屆全國MOCVD學術會議在延吉召開

　　為了深入交流MOCVD技術領域研發的新理論、新進展及其在材料應用領域的新動態、新成果，探討現有問題和未來發展方向，促進產學研結合進程，加快我國MOCVD技術創新及推廣應用，2016年8月17-18日，第十四屆全國MOCVD學術會議在素有“歌舞之鄉”美稱的延吉市盛大召開。來自國內外的知名專家、學者、工程師和企業家500余人，從MOCVD生長技術、MOCVD設備研發、材料結構與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發等領域開展了廣泛交流。

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　　本屆會議由中國有色金屬學會主辦，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、發光學及應用國家重點實驗室、應用光學國家重點實驗室和半導體照明聯合創新國家重點實驗室等單位承辦，吉林省科技廳、延邊州科技局、延吉市科技局和長春理工大學也給予了大力協助和支持。

　　出席大會的領導及專家有科技部原副部長曹健林，中國科學院鄭有炓院士、王立軍院士、郝躍院士、劉明院士，延邊州州長李景浩，工信部電子信息司原司長、國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武，國家基金委信息學部常務副主任秦玉文，科技部高新司材料處處長陳其針，吉林省科技廳高新處處長辛德久，延邊州人民政府秘書長馮德遠、延邊州科技局副局長方金鐵及延吉市科技局副局長韓今玉，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長吳玲，中國有色金屬學會常務副秘書長楊煥文，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所所長賈平，基金委信息學部調研員、綜合處處長何杰，基金委信息學部信息四處處長潘慶，中國科學院前沿科學與教育局綜合處處長楊永峰，中科院半導體所副所長陳弘達。

　　首先中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室副主任黎大兵代表大會組委會介紹了本屆大會組織籌備情況。本屆大會共收到來自五十余個單位的186篇學術報告，其中大會特邀報告11篇，分會報告32篇;大會實際報到參會人數500余人，分為開、閉幕式和四場主題分會。

　　中國科學院院士鄭有炓院士在致辭中表示，MOCVD技術近二十幾年來引領并支撐了化合物半導體的發展，也支撐了第三代半導體的發展。MOCVD技術的發展，已經成為制造、控制、第三代半導體材料器件及結構精準控制生長技術。今天的MOCVD技術是目前最先進的化合物材料生產技術之一，是精準、生長、調控專業的材料生長技術。只要有新的思想、新的構思、新的思維，就能利用MOCVD技術做出新材料、新器件，發展新產業。同時，國家第三代半導體材料的發展也是得益于MOCVD技術的支撐，MOCVD技術的發展也是隨著產業的不斷發展帶動起來的，技術和產業的發展是相互支撐，共同促進。 MOCVD技術和第三代半導體材料的發展形勢喜人，前途光明。未來如何實現跨越發展、跨界發展和創新應用將是新的方向。

　　延邊州州長李景浩在致辭中表示，延邊是中國唯一的朝鮮族自治州，區位優越，交通便利，地處中俄朝三國交界，已經成為東北亞重要的交通樞紐。同時也是“一帶一路”向北開放重點城市，享有一系列國字號優惠政策。當前，吉林省上下正在實施創新驅動發展戰略，促進產業轉型升級，推動老工業基地全面振興。延邊州也正在全面積極推進科技創新和產業變革深度融合，著力改造傳統產業，做強做大。培育新興產業，全力加快綠色轉型發展。希望通過此次學術會議的召開，能為延邊州科技創新、產業發展等領域引入新理念，注入新活力，帶來新變化。

　　國家基金委信息學部常務副主任秦玉文在致辭中表示，基金委一直關注著半導體相關領域的科技發展，同時支持和鼓勵半導體領域探索性基礎研究，希望在基金委的推動下能促進第三代半導體產業的快速發展。

　　中國有色金屬學會常務副秘書長楊煥文表示， “全國MOCVD學術會議”的規模和影響越來越大，已成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會。本次會議選擇在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市延吉市舉行，來自大陸和臺港地區的與會學者、工程師和企業家們通過廣泛交流，了解最新發展動態，促進相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學術研究、技術進步和第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。

　　中國科學院長春光學精密機械與物理研究所所長賈平在致辭中表示，作為MOCVD生長技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺， “全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十三屆，成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會。中國科學院長春光學精密機械與物理研究所作為搖籃，肩負著國家科技創新使命，面向世界科技前沿，面向世界經濟主戰場，面向國家重大需求，高度重視并大力支持MOCVD技術的發展，構建了先進的MOCVD技術平臺，希望今后在國家政策的扶持下，與其他研究所，大學及產業界同仁，進一步加強交流與合作，在MOCVD技術領域半導體照明及第三代半導體材料領域實現跨越式發展。

　　科技部原副部長曹健林做了題為“我國第三代半導體發展戰略思考”的報告。他指出，MOCVD絕大多數是為LED或第三代半導體生長服務。作為發展中國家，我國從50年代后期開始開展半導體科學技術的研發，迄今為止在硅基半導體產業的人才、技術、企業規模等方面還與西方發達國家存在巨大差距。在正視差距，努力縮小差距的同時，我們還要探索一下跨越式發展道路。

　　目前國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，我國正處在啟動這一產業的窗口期。中國精密加工制造技術和配套能力的迅速進步，特別是有01、02專項的基礎，具備促使這一產業高速發展的能力和條件，而各地多年積累的產業優勢和轉型升級的需要，為構建新興產業創新鏈提供了條件。具有中國特色的“政產學研用”協同創新模式，為新興產業的發展提供了可借鑒的經驗和成功的可能性。他認為，我國啟動第三代半導體產業的時機已經成熟，第三代半導體技術突破將帶來新一輪產業革命。在光電子、電力電子和微波射頻等領域，搶占技術和產業制高點，重構全球半導體產業格局。

　　緊接著，國家集成電路產業投資基金有限公司總經理丁文武分享了“關于MOCVD發展相關情況” 的主題報告;中國科學院郝躍院士分享了“GaN基半導體電子器件的研究進展與趨勢”報告;山東大學校長張榮分享了“AlGaN日盲紫外探測技術研究”報告;耶魯大學教授韓仲(HanJung)帶來了“非極性和半極性GaN LED照明規模效益化的可能” 主題報告;第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山分享了“以需求帶動第三代半導體產業健康發展”主題報告。

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　　此外，大會還在會期內開設了四個分會場，分別圍繞氮化物LED與LD，紫外材料與器件，外延生長與物性，其他光電子材料與器件，電子材料與器件，MOCVD設備、襯底與物性等主題展開學術報告分享和深度交流對話。

國家半導體照明工程研發及產業聯盟